產品簡介

SeebeckPro 席貝克(Seebeck) 係數量測儀，是SETARAM公司專門為熱電材料量測所開發的一台高精度熱電分析儀，它是目前世界上，還在不斷開發創新的熱電分析儀器。這部儀器可以量測熱電材料席貝克(Seebeck)係數、電阻係數及電導係數，甚至可以根據使用者設定的 Profile，計算出熱電優值 (ZT)。

這部熱電分析儀器，可放置不同形式的樣品，如柱狀、長方形、片狀、薄膜等等。另外具有三種不同溫度爐體可以選擇，-100°C 到 500°C，室溫到 800°C，室溫到1150°C 。

另外這部儀器包含許多安全設計，從加熱、供電、冷卻、氣壓、循環等各方面，為使用者預先考量多重的安全措施，層層監控，即使不小心有誤動作發生，SeebeckPro 也能夠保護研究者，最大限度避免在誤操作、或對於材料不甚熟悉的狀況下，實驗室的人員、財產可能發生的危害損失。

產品特色

• 同步測量席貝克係數和電阻係數
  
• 配置垂直或水平結構，可依使用者的樣品型態，選擇樣品放置及操作模式
  
• 鉑金大電極設計，電極可與樣品完全接觸，並設計有活動傾斜補償機構，對於不均勻樣品也可得到好的電導測試
  
• 可配置雙加熱器系統，特別適合不均勻樣品的溫差控制
  
• 高級應用程式控溫技術，包括溫差和測量步進等等要求。並且有三種溫度範圍的爐體可選擇。
  
• 0-50K範圍的溫差可隨意設置溫差值及溫差點個數
  
• 自由升/降溫、可精確控制溫度程式，進行升溫、恒溫與降溫過程測量
  
• 溫度檢測可選S/C型熱電偶，最適合測量Si系列熱電材料(SiGe, MgSi等) 
  
• 熱電偶探針非K型（無需鎧裝）配置，不會產生非常大的接觸電阻
  
• 熱電偶間距可以根據樣品尺寸調整或固定
  
• 自動壓力安全保護設計，確保測試過程中不會發生過壓等現象
  
• 測量系統：柱狀、片狀、長方體、薄膜等系統
  
• 可選擇最大測試10MΩ高電阻材料系統

產品應用

1. 多種熱電材料統如:Bi2Te3/Sb2Te3、PbTe、SiGe、CoSb3、Zn4Sb3、金属矽化物（如β-FeSi2、MnSi2、CrSi2等）、NaCo2O4 系列的氧化物等 熱電材料量測
   
2. 熱電材料應用在廢熱回收發電 (汽車廢熱回收發電，船舶廢熱回收發電、工業廢熱回收發電....)
   
3. 無壓縮機式，使用電子致冷器之電器產品

訂購資訊

SeebeckPro Seebeck 係數量測儀。

儀器有三種溫度範圍的爐體可供選擇，請洽勢動科技以獲得更多產品訊息。

技術說明

熱電材料（也稱溫差電材料，thermoelectric materials）是一種利用固體內部載流子運動，達到熱能和電能直接相互轉換的功能材料。熱電效應是電流引起的可逆熱效應和溫差引起的電效應的總稱，包括席貝克(Seebeck)效應、帕爾帖(Peltier)效應和湯姆森(Thomson)效應。 

Seebeck效應

1823年，德國人Seebeck首先發現當兩種不同導體構成閉回路時，如果兩個接點的溫度不同，則兩接點間有電動勢產生，且在回路中有電流通過，即溫差電現象或seebeck效應。通常用高熱電優值(Thermoelectric figure of merit) ZT來衡量材料的熱電性能

ZT=(S^2*σ*T)/λ 

S: Seebeck係數; [S] = µV/K；I: 電導率; [σ] = 1/Ωm；K: 熱傳導率; [λ] = W/mK

熱電材料性能優異的因素：大的seebeck係數、大的電導率、小的熱傳導率。

提高熱電優值ZT的困難在於熱電材料自身的Seebeck係數、電導率和熱傳導率不是相互獨立的，而是都取決於材料的電子結構以及載流子的傳輸特性。例如，當通過提高載流子濃度和載流子遷移率來提高電導率時，不僅會增大載流子對熱傳導的貢獻，造成熱傳導率增大，而且往往會降低Seebsck係數。正是由於這三個物理量不能同步調節，熱電優值和熱電轉換效率很難大幅度提高，使得傳統塊狀熱電材料的推廣應用面臨極大的障礙。

熱電材料研發目標

1. 增大Seebeck係數：提高費米能階附近的狀態密度，增大載流子有效質量，降低載流子濃度；
   
2. 增大電導率：提高載流子濃度，降低載流子有效質量；
   
3. 對於金屬和半導體：設法降低晶格熱傳導率是提高材料熱電性能的關鍵。

2016年，由 Mercouri Kanatzidis 教授的團隊成員所發表的重大突破，採用硒化錫晶體材料，將「熱電優值」提升到 ZT (dev) = 1.34。在 773K 的溫度下，可達 ZT=2.0。該研究論文，"Ultrahigh power factor and thermoelectric performance in hole-doped single-crystal SnSe"，發表於科學雜誌。